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討論串[問題] p-i-n
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#2
Re: [問題] p-i-n
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者Lary (PTTuser)時間16年前 (2009/09/30 21:45), 編輯資訊
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不是很確定我記得的對不對. 用p-i-n是因為在i的carrier濃度較低. 在這裡產生e-h pair時比較不會被recombination. 而用a-Si是因為它的製程溫度比較低. 可以成長在玻璃基板之上. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 123.195.3
#1
[問題] p-i-n
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者LScouple (找到出路)時間16年前 (2009/09/30 21:38), 編輯資訊
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想請問一下. 太陽能電池中的ＰＩＮ結構中的Ｉ. 為何大部分都選用本質的半導體. 另外最常看到的都是a-si. 為何不用poly si or 單晶si,來當i-layer. p.s初學者問的很淺. 謝謝包含. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 218.168.75.
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