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討論串費米能階??
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#3
Re: 費米能階??
推噓3(3推 0噓 5→)留言8則，0人參與, 最新作者yjlee (阿仁仔)時間17年前 (2008/09/16 20:13), 編輯資訊
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感謝回覆. 我的問題是: 費米能階的定義是: 在零度K時，低於費米能階的所有狀態都被佔滿了所以，我的問題是:半導體或絕緣體的禁止能隙之間的任一個地方以下，在零度K時，. 都是被佔滿的(因為禁止能隙的地方是沒有任何狀態可提供佔領的). 可是既然是這樣，那麼費米能階定義在哪裡會最適合呢??. 他是怎麼定
#2
Re: 費米能階??
推噓1(1推 0噓 0→)留言1則，0人參與, 最新作者jfsu (水精靈)時間17年前 (2008/09/16 18:55), 編輯資訊
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你可以參考 "Solid State Electrinic Device"這本書的第80頁，它有說明。. 在此，我摘錄給你。. For instrinsic material we know that the concentration of holes in the. valence band i
(還有494個字)
#1
費米能階??
推噓2(2推 0噓 0→)留言2則，0人參與, 最新作者yjlee (阿仁仔)時間17年前 (2008/09/16 18:20), 編輯資訊
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請問各位大大有關費米能階的問題. 為何半導體的費米能階 在導帶與價帶的中間??. 為何不是剛好在價帶的最高點??. 這跟其升溫時的機率有關嗎??. 因為升溫後的費米函數回推 所以得到費米能階在導價帶中間嗎??. 感恩 ^ ^. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 1
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