討論串[問題]問一題題目
共 2 篇文章
首頁
上一頁
1
下一頁
尾頁

推噓0(0推 0噓 0→)留言0則,0人參與, 最新作者ihayden (Lighto)時間17年前 (2007/07/10 16:32), 編輯資訊
1
0
0
內容預覽:
一純半導體,本質濃度ni=1.5*10的10次方/cm3. 原子密度為5*10的22次方/cm3. 若每10的9次方個矽原子摻入1個donor雜質. 則其電洞濃度為多少?. A:4.5*10的六次方/cm3. 請問這一題要怎麼算?. 感謝幫忙. --. 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc).

推噓1(1推 0噓 0→)留言1則,0人參與, 最新作者qaz1234567q (死亡與恐懼)時間17年前 (2007/07/10 20:05), 編輯資訊
0
0
0
內容預覽:
電子濃度. n = 5*10^22 / 10^9. = 5*10^13. 因ni^2 = n * p. 故電洞濃度. ni^2 / n = p. 即 (1.5*10^10)^2 / 5*10^13 = p. => 2.25*10^20 / 5*10^13 = p. => 0.45*10^7 = p.
首頁
上一頁
1
下一頁
尾頁