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討論串[問題] 關於電子學的問題~
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#3
Re: [問題] 關於電子學的問題~
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者obov (可惜我人不在台北)時間19年前 (2007/04/15 13:46), 編輯資訊
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把a b合在一起 也就是nmos ft比較大(pmos的三倍速@@?). pmos vt一般也比較大. nmos有deep nwell 也可以避免body effect 不過製程多一道手續所以比較貴(?). --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 24.23.207.1
#2
Re: [問題] 關於電子學的問題~
推噓2(2推 0噓 0→)留言2則，0人參與, 最新作者TEMmode (I am sorry..)時間19年前 (2007/04/15 11:15), 編輯資訊
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我最愛回簡單的問題了XD. a.NMOS的mobility比較高,因此gm大. b.PMOS通常要用的size比較大,造成電容大. c.在有提供NWell的製程中,PMOS的body可以另外接,可避免body effect. d.NMOS當開關有poor high的性質,而PMOS有poor low
(還有32個字)
#1
[問題] 關於電子學的問題~
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者KueiCYeYin (。。懶 貓 愛 音 樂。。)時間19年前 (2007/04/14 23:40), 編輯資訊
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1.PMOS跟NMOS的優缺點？. 2.關於MOS的OFF區和三極管區跟飽和區～which region is suitable for the analog and. which region is suitable for the digital？. 希望大家幫忙解答~~感激不盡~^^. --.
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