討論串[問題] FET電壓-電流特性
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推噓0(0推 0噓 0→)留言0則,0人參與, 最新作者rummel (rummel)時間19年前 (2007/02/08 09:59), 編輯資訊
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請問你是用模擬的還是用HP4156量的. 假設是用HP4156的話那下針有點好嗎?. 或是你可以用丙酮把針擦一擦. 如果還是出現這樣的情況那就要考慮你製程的問題了. 像是PDA,PMA有沒有做. 退火溫度等等. --. 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 163.22.18

推噓1(1推 0噓 0→)留言1則,0人參與, 最新作者kk123時間19年前 (2007/02/05 20:34), 編輯資訊
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我試範一下 NMOS 的給你看好了.... 以 TSMC .35um 製程為例:. NMOS ID-VDS Curve Circuit. *-------Option control start----------*. .option post probe. *-------Option contr
(還有1244個字)

推噓0(0推 0噓 0→)留言0則,0人參與, 最新作者Cabrera42 (看來我要住套房了....)時間19年前 (2007/02/05 19:58), 編輯資訊
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請問一下. 因為最近在做FET電壓-電流特性實驗. 在測iD-vDS的時候. 並沒有像課本上畫的一樣~是很完美的曲線(拋物線). 而是一直上上下下震盪. 這是怎麼一回事呢. 謝謝. --. 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 134.208.45.192.
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