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討論串[問題] MOSFET
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#6
[問題] MOSFET
推噓3(3推 0噓 2→)留言5則，0人參與, 最新作者chieh0206 (ming chieh)時間15年前 (2010/12/09 01:16), 編輯資訊
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In a common source MOSFET circuit with an n-channel enhancement-mode device,what is the relationship between the drain-to-source voltage and. gate-to-
#5
[問題] MOSFET
推噓5(5推 0噓 2→)留言7則，0人參與, 最新作者Proakis (John G. Proakis)時間16年前 (2010/03/21 18:54), 編輯資訊
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http://img26.imageshack.us/img26/5639/111ed.jpg. 請問這題的Rout要怎麼求. 還有Gm. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 114.45.174.150.
#4
Re: [問題] MOSFET
推噓1(1推 0噓 0→)留言1則，0人參與, 最新作者MHGau (相片的靈魂)時間19年前 (2007/01/12 11:43), 編輯資訊
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非常詳細的回答，還有一些不懂的地方想請教. 1. on current是指當加大Vg達到pinch-off後 飽和區的飽和電流(Isat)嗎?. 2. 電容是指哪裡呢?. 3. 高功率是指高電流出輸出嗎?. 4. 高頻是指on/off切換快速嗎? 有何方法可以改進?. 謝謝您的幫忙！. --. 許多
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#3
Re: [問題] MOSFET
推噓1(1推 0噓 1→)留言2則，0人參與, 最新作者Rigid (陽光下的奇蹟)時間19年前 (2006/12/17 20:25), 編輯資訊
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半導體的conductivity正比於該材質電子電洞的mobility與concerntration. 一般來說半導體的mobility與晶格的完美有關係. 越完美的晶格其scattering越少而mobility越大. 但是半導體材料的電子電洞concerntration並不大. 需要加入雜質以增
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#2
Re: [問題] MOSFET
推噓1(1推 0噓 2→)留言3則，0人參與, 最新作者doono (refulga)時間19年前 (2006/12/17 03:17), 編輯資訊
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以MOSFET來說，channel需要high mobility，junction需要high conductivity.. 這其中當然有很多學問，doping可以增加conductivity，但是在sub-um device. 會使short-channel effect惡化；pocket/hal
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