[問題] 開關的切換損耗原理

看板Electronics作者 (jikk)時間3年前 (2022/06/08 22:59), 編輯推噓3(3013)
留言16則, 4人參與, 最新討論串1/1
在開關電路中 因為開關暫態現象導致切換時會有動態損耗發生 一般說明也只會丟ID-VD的圖, VD緩步上升時,ID沒有馬上降到零所以有功耗, 配合文字"是因為MOSFET電容造成的, 但沒有解釋原理, 還有ZCS與ZVS如何達成的原理也沒解釋, 請問有哪個資料會說明比較詳細? 感謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 110.26.0.97 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1654700362.A.068.html

06/09 01:19, 3年前 , 1F
clock不斷在跑的時候,mos的寄生電容會一直進行充放電造
06/09 01:19, 1F

06/09 01:19, 3年前 , 2F
成的功耗
06/09 01:19, 2F

06/09 01:20, 3年前 , 3F
你去修任何一門VLSI 的課都會講
06/09 01:20, 3F

06/09 01:23, 3年前 , 4F
找ti driver的application notes 這一般再加上VGS圖會
06/09 01:23, 4F

06/09 01:23, 3年前 , 5F
比較好瞭解吧
06/09 01:23, 5F

06/09 01:24, 3年前 , 6F

06/09 01:24, 3年前 , 7F
把這個網站看完應該差不多了
06/09 01:24, 7F

06/09 01:24, 3年前 , 8F
ZVS, ZCS基本概念應該可以說成讓電壓/電流產生想要的相
06/09 01:24, 8F

06/09 01:25, 3年前 , 9F
位差吧
06/09 01:25, 9F

06/09 01:30, 3年前 , 10F
ZVS ZCS好像已經比較power專門了
06/09 01:30, 10F

06/10 13:25, 3年前 , 11F
dynamic loss, switching loss,領域不同叫法不一樣,
06/10 13:25, 11F

06/10 13:25, 3年前 , 12F
不過都是看導通時的mos寄生電容跨壓
06/10 13:25, 12F

06/13 09:02, , 14F
al%20Document/AN005?ForceDevice=1&devicename=Richtekw
06/13 09:02, 14F

06/13 09:02, , 15F
eb&sc_lang=zh-TW
06/13 09:02, 15F

06/13 09:19, , 16F
06/13 09:19, 16F
文章代碼(AID): #1YeBbA1e (Electronics)