[請益] 關於power mos loss分析與寄生電容問題
請教一下各位大大，小弟想模擬power mos的loss，
看到paper是說 conduction loss為Irms^2*Ron, switching loss為 fsw*COSS*V^2, driv
ing loss為 fsw*CISS*V^2
(其中CISS=cgs+cgd, COSS=cds+cgd)
我的想法是可以先plot出 X軸是VDS, Y軸是CISS或COSS的圖 來得到此電容值並算出power
loss這樣
而在cadence spectre的模擬，看到有人是用z-parameter來做
CISS(@1M) : 在VG灌1M的sin波，dc=0 (用port)
用sp模擬掃vds=1~100，最後看那個port的 impedance的虛部得到容抗，最後算成電容值
COSS(@1M) : 在VG接地，VD灌1M的sin波，dc=VDS變數 (用port)
同CISS方式得到容值
https://i.imgur.com/vhOyZy1.jpg
但我不太清楚這樣的模擬方式是不是正確的，或是這樣看進去的容值不知是否為CISS跟CO
SS
由於實驗室沒人可以問，不知道有沒有大大有經驗可以分享一下
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