bootstrapped switch

看板Electronics作者 (chesterhaha)時間4年前 (2021/04/07 17:11), 4年前編輯推噓0(003)
留言3則, 1人參與, 4年前最新討論串1/1
版上各位好,想請問以下兩個bootatrapped switch的差別,圖如下 1. Razavi paper中看到的 https://i.imgur.com/jGl7Df9.jpg
2. 大部分paper中看到的 https://i.imgur.com/ZJjYoUv.jpg
2.中多了紅色圈起來的3個mos 類似用一個Inverter做出1.中M8的clkb 但他同時還是有使用clkb的訊號 目前唯一能想到的是希望M8的clkb能有小的delay 做出一個non-overlapped的效果 不過模擬結果兩個switch的表現幾乎是一樣的 所以想問多用了3個mos的效果是什麼呢? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 42.72.234.178 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1617786692.A.1C5.html

04/07 17:34, 4年前 , 1F
為了解決第一張圖m8在訊號高低有打不開的狀況
04/07 17:34, 1F
可以更進一步問M8會在什麼情況下打不開嗎? 我的想法是M8是Pmos,所以P點隨信號高低只會大於vdd,所以clkb=0的話應該都能打開, 這樣對嗎?謝謝 ※ 編輯: chesterhaha (42.72.234.178 臺灣), 04/07/2021 18:19:41 ※ 編輯: chesterhaha (42.72.234.178 臺灣), 04/07/2021 18:32:45

04/07 23:24, 4年前 , 2F
我說錯了,應該是vgs8會超過兩倍vdd
04/07 23:24, 2F

04/07 23:30, 4年前 , 3F
如果你測sfdr都沒差就是這個問題
04/07 23:30, 3F
好的 所以應該比較像是保護M8的功能 感謝!! ※ 編輯: chesterhaha (42.72.234.180 臺灣), 04/08/2021 01:51:23
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