Re: [問題] LDO搭配OCP產生的震盪已刪文

看板Electronics作者時間4年前 (2019/10/02 21:55), 4年前編輯推噓2(2推 0噓 3→)
留言5則, 2人參與, 4年前最新討論串1/1
謝謝板友的幫忙 後來發現是OCP從切換點到LDO Iq的Phase Margin不夠 補償以後即可正常運作 不過以下面方式測量OCP loop的Phase Margin時候 在output所掛的抽載電阻變成OCP切換 點所掛的十分之一(即抽載變成切換點十倍)PM會降到十度甚至更低 https://i.imgur.com/M2ayMKr.png
https://i.imgur.com/eIfxObB.png
（抽載在切換點時） https://i.imgur.com/p868GKu.png
（抽載在切換點十倍時） 經測試結果發現是LDO driver輸入(即LDO OP output)以及Power MOSFET的gate端的pole 往內移動導致 但感到困惑的是在抽十倍電流時 VOCP會讓所接的NMOS全開使得rout變小 不是應該讓LDO driver該點的pole往外跑嗎? 而Power MOSFET同樣因為抽載電阻變小，使得Power MOSFET放大倍率變小 應該也是讓pol e往外跑吧? 這樣是否還有沒有分析到的地方呢?再次先謝謝各位了! -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.136.204.83 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1570024553.A.946.html ※ 編輯: dinex (114.136.204.83 臺灣), 10/02/2019 21:57:06
推
10/04 22:43, 4年前 , 1F
OCP本身是比較器 不是小訊號 您覺得這樣分析合理嗎？ 如
10/04 22:43, 1F
→
10/04 22:43, 4年前 , 2F
果要抑制inrush current 應該做軟啟動 一點小建議給您參
10/04 22:43, 2F
→
10/04 22:43, 4年前 , 3F
考
10/04 22:43, 3F
推
10/06 16:04, 4年前 , 4F
你指的是在抽大電流時的inrush current造成系統不穩定
10/06 16:04, 4F
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10/06 16:04, 4年前 , 5F
？
10/06 16:04, 5F
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