[問題] FET光感測器 gate大小 影響

看板Electronics作者 (chisheng)時間6年前 (2019/07/30 23:32), 6年前編輯推噓0(0推 0噓 0→)
留言0則, 0人參與, 最新討論串1/1
https://i.imgur.com/nR4Un0Z.jpg
大家好，晚學剛從機械轉為接觸半導體製程 想請教一下 如果這個gate寬度變小會有什麼變化呢？ gate的長度變大會有什麼半導體 特性呢？ gate越窄，Vth會隨之上升？ DIBL，Drain Induced Barrier Lowering 意思是指當gate長度變短，Vth會降低？ 感謝大家 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 223.138.62.224 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1564500771.A.70D.html ※ 編輯: chishen1214 (140.117.59.155 臺灣), 07/31/2019 11:25:48
‣ 更多 chishen1214 的文章
文章代碼(AID): #1TG6CZSD (Electronics)