[問題] MOSFET BODY順向偏壓V.S.低電壓MOSFET

看板Electronics作者時間6年前 (2019/06/25 20:53), 6年前編輯推噓2(2推 0噓 6→)
留言8則, 2人參與, 6年前最新討論串1/1
根據Threshold Voltage的公式 當VSB的電壓為負的時候 Threshold Voltage就會跟著變小 那想問的是 假如現在是使用PMOS的話 可以透過抽body固定電流(大約1uA)的方式 來降低Vth在低電壓環境操作嗎? 會這樣問是因為現在製程都有提供低電壓MOSFET 但如果能用body抽固定電流為何還需要低電壓MOSFET? 謝謝大家!!! -- Sent from my Windows -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 123.204.173.96 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1561467196.A.607.html
推
06/25 23:53, 6年前 , 1F
DTMOS
06/25 23:53, 1F
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06/26 15:05, 6年前 , 2F
一顆mos要抽1u的話power會爆表吧
06/26 15:05, 2F
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06/26 15:06, 6年前 , 3F
隨便一顆chip也幾十萬到百萬個mos
06/26 15:06, 3F
推
06/26 16:15, 6年前 , 4F
欸我想錯了，一起抽就好，不過body有電流比較容易latch
06/26 16:15, 4F
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06/26 16:15, 6年前 , 5F
up要看device的人願不願意給你這樣玩
06/26 16:15, 5F
謝謝大大 那想再請問一下如果改在source跟body間接一個Schottky Diode會比較好嗎？ 感覺開通電壓比較低能降低latch up可能性 但有人說很少看到實務上用（？） ※ 編輯: dinex (112.104.141.77 臺灣), 06/26/2019 23:04:03
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06/27 08:20, 6年前 , 6F
那樣加沒有拉到地的電流也沒用啊，而且diode面積不小吧
06/27 08:20, 6F
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06/27 08:21, 6年前 , 7F
要vt低直接叫TD調就好了不用這麼麻煩
06/27 08:21, 7F
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06/27 08:22, 6年前 , 8F
除非你是少量的類別電路要頂著用
06/27 08:22, 8F
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