[問題] MOSFET飽和電流

看板Electronics作者時間6年前 (2019/03/31 16:56), 6年前編輯推噓3(3推 0噓 4→)
留言7則, 2人參與, 6年前最新討論串1/1
大家好 我目前所知道的是 以NMOS來說 進入飽和區之後 電子經由夾止點被注入空乏區 再被Vds造成的電場吸入D極 而正是這邊我有疑問 1. 若考慮P型基底與S極共接至外部電源負端 D極接外部電源正端 這個時候P型基底與D極(n+ type)不就形同逆偏的PN接面嗎？ 如果這時候經由夾止點進入空乏區的電子都能夠被電場吸入D極 那為什麼一般的二極體逆偏時卻只有微量的漏電流？ 2. 承上點，若是Vds繼續加大 不同時也是使電場強度加大 為什麼不能吸入更多數量的電子 使Id上升呢？ 3. 承第1點 書上寫到二極體漏電流的產生是因為少數載子濃度 那假設我今天只看N型區 N型是摻雜5價元素，使電子濃度提高 那這樣照理來說不會有電洞阿？ 因為自己是電子系學生 當時學電子學時對於材料的物理原理幾乎是忽視的 現在回頭來看發現自己所學的有點虛 請高手幫忙解惑了，謝謝！ --
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03/27 22:36,
我有個學妹 從我大二洗澡到出社會了還沒洗完…
03/27 22:36
-- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 36.230.201.120 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1554022586.A.D01.html ※ 編輯: yiting428 (36.230.201.120), 03/31/2019 16:57:36
推
03/31 20:39, 6年前 , 1F
1.S/D端 都是n+ 你說的body是p 所以相較於吸進通道內的載子
03/31 20:39, 1F
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03/31 20:39, 6年前 , 2F
較少
03/31 20:39, 2F
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03/31 20:41, 6年前 , 3F
2.Vd=Vdsat時 通道內載子速度飽和 多的電壓跨在D端 不會使電
03/31 20:41, 3F
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03/31 20:41, 6年前 , 4F
流增加
03/31 20:41, 4F
推
03/31 20:43, 6年前 , 5F
3.p端的多數載子電動擴散到空乏區後 被電場抽到n端 就變成n
03/31 20:43, 5F
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03/31 20:43, 6年前 , 6F
端的少數載子
03/31 20:43, 6F
推
03/31 21:57, 6年前 , 7F
Gate 要給電場才有場效應通道啊
03/31 21:57, 7F
謝謝op大的說明！都有想通了 ※ 編輯: yiting428 (36.230.201.120), 03/31/2019 23:42:58
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