[問題] Channel-stop 問題

看板Electronics作者 (松農manu)時間7年前 (2018/11/22 17:43), 編輯推噓1(1推 0噓 1→)
留言2則, 2人參與, 7年前最新討論串1/1
先上個圖 https://i.imgur.com/nLCotMr.jpg
小弟不懂的點是 為何ion implantation可以處理漏電流問題 我們知道說兩個n+和FOX區 假如FOX上面有連接線（提供大電壓） 電晶體會稍微被打開（FOX下面產生反轉層） 用ion-implantation取代掉FOX（在氧化前）竟然就可以解決漏電流問題？ ion-implantation後的區域是低電阻（這樣漏電流不是更多嗎） 希望有大大可以解惑QQ -- 我4manu鐵粉 manu魂不滅 https://imgur.com/msMRnFu
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推
11/22 18:22, 7年前 , 1F
p+本身低電阻 但左右兜了n+就不是 建議從能帶去想
11/22 18:22, 1F
→
11/29 11:40, 7年前 , 2F
感謝
11/29 11:40, 2F
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