[問題] 問個接錯電壓會燒掉的白痴問題

看板Electronics作者 (妳，我可以)時間8年前 (2017/12/10 23:28), 編輯推噓5(5推 0噓 6→)
留言11則, 7人參與, 8年前最新討論串1/1
各位高手: 問個很幼稚很白痴的問題,就是大家都知道 DC 5V的設備接DC 12V會燒掉，小弟是這樣推理的: V=IR -> V/R = I -> V 變大, R 不變，電流 變大 -> 導致設備燒毀 各位以為如何? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.37.102.83 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1512919693.A.625.html
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12/10 23:33, 8年前 , 1F
通常在你說的狀況燒燬的東西並非適用 V=IR 的線性電阻
12/10 23:33, 1F
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12/10 23:34, 8年前 , 2F
半導體在電壓超過崩潰電壓時會造成雪崩效應
12/10 23:34, 2F
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12/10 23:35, 8年前 , 3F
電流會急速增大，而不是歐姆定律的線性增大
12/10 23:35, 3F
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12/10 23:35, 8年前 , 4F
才會因為瞬間的高熱燒熔，發出香味，我知道在座都玩過
12/10 23:35, 4F
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12/10 23:36, 8年前 , 5F
謝謝!小弟學軟體的這部份外行
12/10 23:36, 5F
推
12/10 23:51, 8年前 , 6F
我覺得通常是內部元件電壓應力沒這麼大
12/10 23:51, 6F
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12/11 00:04, 8年前 , 7F
這樣說也是沒錯，我說的是超出電壓應力(耐壓)之後的結果
12/11 00:04, 7F
推
12/11 00:27, 8年前 , 8F
跟V=IR沒關西吧 純粹就是你給他壓力太大
12/11 00:27, 8F
推
12/11 17:38, 8年前 , 9F
燒過IC的路過
12/11 17:38, 9F
推
12/12 00:23, 8年前 , 10F
MOS管超過耐壓炸掉時，電阻接近0
12/12 00:23, 10F
推
12/12 17:14, 8年前 , 11F
耐壓問題
12/12 17:14, 11F
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