[問題] nmos 基本特性問題，ID vs VGS圖

看板Electronics作者 (ting)時間8年前 (2017/10/22 18:48), 8年前編輯推噓0(0推 0噓 2→)
留言2則, 2人參與, 8年前最新討論串1/1
各位大大好，我最近修了一門類比ic設計，題目如下：(用0.18製程） (a)Select aspect ratio to have a ID with the arrange of 10uA~50uA(using a NMOS device with VDS =0.2V) (b)Following the result of (a),please find ID vs VGS curve by sweeping VG. 我不太懂題目的意思，它的意思是說固定VDS,設計一個W/L,藉由改變VG,去讓ID的範圍是1 0u~50u嗎？意思是操作在linear區？ 我怎麼用都怪怪的，不知道所謂的ID範圍是哪裡到哪裡？且我的L都會比W大，才有辦法滿 足設定的電流... 謝謝大家… -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 180.217.154.232 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1508669333.A.100.html ※ 編輯: your851123 (180.217.154.232), 10/22/2017 18:56:09
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10/22 20:07, 8年前 , 1F
你題目理解沒錯呀~
10/22 20:07, 1F
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10/23 02:30, 8年前 , 2F
L比W大很正常啊
10/23 02:30, 2F
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