[討論] MOSFET Gate Charge Loss

看板Electronics作者 (呵呵)時間8年前 (2017/09/07 21:39), 8年前編輯推噓2(2推 0噓 7→)
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最近在看MOSFET的效率 看到一個是Gate Charge loss有個小疑問 給的公式為Ploss=Qg*Vgs/Ts Vgs很直觀就是閘極與源極所施的驅動電壓 Qg為在MOS從開啟到閉合或閉合至開啟所儲存/放出的電荷量 我的解釋為因為他給的是電荷量，我要算他的功耗，因為他電位差為Vgs 則利用W=Q*V P=W/t 得到上式 而不是利用電容器平行極板的P=0.5*Q*V*t 請問我這樣說明適當嗎 如果有錯請指教 謝謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 220.137.93.27 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1504791584.A.6AE.html
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09/07 22:10, , 1F
是乘Ts嗎?不是fsw?
09/07 22:10, 1F
推
09/07 23:23, , 2F
第二個公式一個週期一充一放*2?
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09/07 23:45, , 3F
不好意思 上面打錯是/Ts 另外P=W/t
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※ 編輯: gir26354 (220.137.93.27), 09/07/2017 23:45:58
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09/07 23:48, , 4F
用第二個公式怪點是在放電時vgs為0 他本身電荷放電 一
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般來說不會算是損耗
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推
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一個理想RC充電的電路 把C從跨壓零到完全充飽的過程效
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率只會有50% 一半的能量會耗在電阻 只有一半的能量會存
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在電容上 用這樣去想應該就通了
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09/09 23:19, , 9F
K大這個說法是什麼意思 不太懂
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