[問題] D35 layout疑問

看板Electronics作者 (拉基)時間9年前 (2016/11/30 18:13), 編輯推噓7(7014)
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大家好 這次想問的問題是D35 Layout畫法的問題 我現在在畫一塊小電路的Layout 然後NMOS的Bulk不是通常都會接GND 但是我有一顆是設計Source跟Bulk接再一起 但我畫不管怎樣我LVS都會說我這顆的Bulk接到GND去了 我有上網查怎麼畫和看Design Rule都沒說 (還是我沒看到 因為底層環境是是PSUB 所以為是只要包層PWELL就會對 結果還是錯 今天我發現有個PSUB2的材質 我用PSUB2材質把這顆電晶體和Guard Ring當做Bulk電位包再一起 LVS就過了 但我想問的是用PSUB2包起來的MOS是當作一個獨立的PSUB包起來 還是其他意思? 雖然LVS過了 我想問這樣的畫法是正確的嗎? 謝謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.45.161.197 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1480500828.A.79A.html

11/30 18:44, , 1F
d35 nmos body 只能接地
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t18後可用dnw 來避免body effect
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11/30 19:10, , 3F
那如果我這樣畫ok嗎 因為我那顆MOS特性變很差
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11/30 19:20, , 4F
打錯 那顆MOS的Bulk接地後電路特性變差
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11/30 19:24, , 5F
我看D35也有DNW
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11/30 20:39, , 6F
psub2是用來區分不同電位 應該不是dnw
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11/30 20:43, , 7F
你如果是用pdk 應該會有ref device可以參考吧
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11/30 21:12, , 8F
痾 我看材質有DNWELL
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11/30 21:12, , 9F
那份我沒看過 我找找
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12/01 06:51, , 10F
d35沒有dnw
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psub2實際上不會做出來 這樣圍雖然騙過lvs 但是他們還
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是同樣的body
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12/01 11:14, , 13F
比較正確做法應該是用NWELL環繞你的元件 再用DNW框整個
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12/01 11:16, , 14F
像是碗公包覆你元件 內外的substrate才會隔開
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12/02 02:36, , 15F
好 感謝樓上早上試試看後在跟你講
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12/02 13:21, , 16F
但用Nwell圍不就會變成Pmos
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圍一圈 像是guardring那樣 中間是沒NWELL
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12/03 00:13, , 18F
哦哦 你說把nmos用nwell包起來然後中間挖空
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12/03 00:13, , 19F
元件的範圍挖空
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12/03 00:24, , 20F
LVS過了 但ERC跟Softchk有錯 我再繼續試 感謝你
12/03 00:24, 20F

09/20 14:30, , 21F
結論: TSMC 0.35um NMOS 只能接gnd 感謝divhexa大!
09/20 14:30, 21F
文章代碼(AID): #1OFgPSUQ (Electronics)