[問題] 請教mos操作的問題

看板Electronics作者 (ratual)時間9年前 (2016/11/14 09:12), 編輯推噓1(1推 0噓 1→)
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大家好 小弟有個很基本的問題困擾我蠻久的 就是當mos在操作的時候 通道pinch off點到source端中間會有一個反偏的空乏區 記得反偏的pn junction是沒辦法有明顯電流通過，操作電壓也還沒到崩潰電壓 在一些地方 我們也會用反偏來做device的isolation 那電子是怎麼穿過空乏區到達source端呢 電場嗎 謝謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 42.73.231.157 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1479085946.A.2BF.html
推
11/14 13:17, , 1F
npn上面的junction也是反偏 電子因為空乏區的電場會快速通
11/14 13:17, 1F
→
11/14 13:17, , 2F
過junction mos原理亦同
11/14 13:17, 2F
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