[問題] 正確的理解及計算Cgd
Razavi的書寫Strong inversion Cgd=0，
MOSFET Modeling & BSIM3 User's GUIDE把這個稱作Meyer Model，
物理解釋是Pinch off後，Channel Charge不會流到Drain端(Cgd=0)，很直覺很合理。
有些書會寫到Short channel後，overlap會變明顯，所以Cgd相對變大，這也OK
問題是BSIM3常用的Model有所謂Channel charge partition，
也就是Channel charge是分給Source跟Drain(明顯與Meyer牴觸)，
出來結果造成Cgd大非常多，大概到Cgs的1/3~1/4，
分析上造成諸多困擾，
想請問各位專家怎麼正確的理解Cgd，
又Channel charge到底會不會流到Drain去。
感謝各位！
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