[請益]4156測Ibb,measure range造成mofet 燒掉

看板Electronics作者 (It is time to )時間9年前 (2016/09/23 23:39), 編輯推噓1(1推 0噓 2→)
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就是小弟現在遇到一個問題,就是在量測 mosfet Id-Vg時,發現當我的substrate current measure range設成最1E-9最精密時,在vg快到 Vth時device便會burn out, 當我把rangeg設成 Ibb maximum level時,device便會活,不知道 大家有遇過類似的情形嗎？我在網路上找不 到類似的資訊,想不透其中的機制是什麼？ 謝謝大家 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.43.197.204 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1474645190.A.003.html
推
09/27 18:58, , 1F
因為系統幫你擋下來了~~~~
09/27 18:58, 1F
→
09/27 18:59, , 2F
Ibb maximum level時,不會讓你無限制超過系統能夠負載.
09/27 18:59, 2F
→
09/27 18:59, , 3F
但你自設量測range時,系統不擋,所以會燒XD
09/27 18:59, 3F
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