[問題] PN diode IV量測問題

看板Electronics作者 (打雜工)時間7年前 (2016/08/11 21:00), 7年前編輯推噓1(1推 0噓 1→)
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各位安安, 最近遇到一個量測上的問題, 量測狀況是 hetero junction P+/N diode, P+給0V, 偏壓加在N端, 從-2V量到+10V, 第一次量測的時候反向偏壓有極大的漏電流, 而同一條件下再量測第二次第三次 反向偏壓漏電流明顯降低改善(第二跟第三次IV曲線很接近), 想請問各位有沒有 遇過類似的問題嗎? 同一條件下有些DUT量第一次就沒這個問題 我想法猜測(不確定...) 1. 量測前就有 charge 存在diode中, 造成第一次量測有看到明顯漏電情形 2. diode表面的介面中有 recombination center, 會影響第一次量測情形, 通過 大電流後介面有annealing效果使得漏電情形改善. 3. 探針跟contact沒有緊密結合, 所以過了一次大電流後, 電極金屬跟探針結合狀況 改善. 請各位板友解惑, 感謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 220.143.65.187 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1470920454.A.DAC.html ※ 編輯: aladean (220.143.65.187), 08/11/2016 21:01:58 ※ 編輯: aladean (220.143.65.187), 08/11/2016 21:02:56 ※ 編輯: aladean (220.143.65.187), 08/11/2016 23:40:08
推
08/12 02:19, , 1F
Charge trapping or de-trappong
08/12 02:19, 1F
→
08/12 02:28, , 2F
我是量二元金屬氧化物薄膜TDDB也會發現這種現象
08/12 02:28, 2F
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