[問題] 一篇光感測器論文的相關問題

看板Electronics作者 (Neo)時間9年前 (2016/05/31 21:51), 9年前編輯推噓5(5推 0噓 20→)
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先附上paper https://mega.nz/#!LlkgmRiR!J7jRLST8nPMQahz60_jGE52ea2fruLNk_O32Lh_DSPI Figure.4，也就是下圖，想請大家用淺顯易懂的方式說明這圖片表達的意思 http://i.imgur.com/LKBaKk2.png
(此圖在論文中就是如此模糊，還請大家見諒) 以及Figure.5 http://i.imgur.com/iZK0m9E.png
想請教大家這張圖中的每個block功能是什麼(paper內似乎沒有多加敘述) 為感謝願意解答者，這兩個問題各1000P幣會贈送給幫忙的好心人們 謝謝~ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 122.121.219.220 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1464702662.A.C43.html ※ 編輯: jimmy6247 (122.121.219.220), 05/31/2016 21:52:15
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05/31 22:28, , 1F
使用GBT技術的二維黑白影像偵測器，在不同的光電流值下，
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針對辨識相同數字下所需的曝光時間與電壓比較器輸出值關係
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辨識相同數字這部分可否在解釋更清楚一些，聽得不是很懂..QQ 另外電壓比較器輸出的部分，它輸出的值代表什麼意思呢? ※ 編輯: jimmy6247 (122.121.219.220), 05/31/2016 22:58:19 第一題我好像有看懂了，這邊會給dsp大1000P 第二題尚未看懂，希望有人可以幫幫小弟，謝謝 ※ 編輯: jimmy6247 (122.121.219.220), 05/31/2016 23:18:17
推
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PD產生光電流導致FD node電壓下降 光電流不同 下降斜率也會
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不一樣 比較器其中一個輸入是固定的位準(模糊圖中Reference)
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下降斜率越大 到達這個Reference Level的速度就越快
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以此做為輸出 所以比較器的輸出是類似PWM 光越強 切換點越早
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所以模糊圖中上面是最強光 曝光一下 就到達Reference而切換
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其實比較器到SRAM中間還要有一些邏輯電路 把Pulse長度轉成
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真的數位訊號 V-scan就是檢測不同行的 H-scan就是輸出同行
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中不同Cell的資料(跟Memory差不多)
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推
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修課剛好上過CIS的設計~
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(修正: FD node電壓是上升)
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請問V-scan檢測不同行的意義是什麼 為什麼需要檢測呢?
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推
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你好像不太懂Memory操作 CMOS Image Sensor是一個陣列
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就是總共有176行 144列 然後讀出電路一次只能讀出一行
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V-scan就是一次選一行來讀取 對應到Fig.1的V_SEL
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要讀這行 就把這行所有Cell的V_SEL拉起來 再讀取
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(行->row 列->Column，這樣比較清楚)
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好像有點懂了 那想問h-scanner也是差不多的媽?
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還有SRAM的功用何在呢?
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推
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h-scanner是把同一行的依序輸出 如果是平行輸出 那一次把整
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行輸出也可以 SRAM大概就儲存轉換後的資料吧(比較器跟SRAM
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06/01 00:25, , 23F
中間應該還要有一些轉換的Block
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06/01 00:52, , 24F
感謝 等等會將P幣奉上~
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推
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參考一下 DUAL SLOPE ADC
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