nmos charge pumping

看板Electronics作者numbtkb (numbtkb)時間10年前 (2015/12/04 12:54)推噓2(2推 0噓 5→)

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如題 nmos body端有二極體的話我量charge pumping vbase從負掃到正。可是在閘極負電壓時二極體就導通這樣就量不到i cp了總結問題 1.mos裡基底端有二極體這是什麼結構？效用是？ 2.這種結構如何量界面陷阱跟氧化層陷阱？？ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 110.27.131.192 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1449204841.A.B57.html

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tonybin

12/04 19:37, , 1^F

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numbtkb

12/05 12:46, , 2^F

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推

jfsu

12/06 01:38, , 3^F

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