[問題] OP使用BJT與MOS的Offset

看板Electronics作者 (BD)時間10年前 (2015/05/17 03:05), 編輯推噓2(2推 0噓 17→)
留言19則, 2人參與, 最新討論串1/1
在瀏覽某些文章中有提到 BJT會使OP兩端的OFFSET會比MOS來的較小 所以使用bjt架構會較精準 其中為何offset會較小呢 勞煩大大們解答 謝謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 61.228.48.24 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1431803124.A.A71.html
→
05/17 12:14, , 1F
我記得這個電子學課本不是就有嗎
05/17 12:14, 1F
推
05/18 01:12, , 2F
這完全是元件物理的關係吧　電子學課本應該是沒有
05/18 01:12, 2F
→
05/18 01:12, , 3F
MOS的offset多小跟製程變異的控制有關
05/18 01:12, 3F
→
05/18 01:12, , 4F
這不可能是三言兩語很容易去理解的事情
05/18 01:12, 4F
→
05/18 01:13, , 5F
只可能說，在最傳統的製程與同樣的feature size底下
05/18 01:13, 5F
→
05/18 01:13, , 6F
最傳統的作法，MOS就是比BJT難控制
05/18 01:13, 6F
→
05/18 20:29, , 7F
我記得電子學有講吧 考慮到 OP 兩端一般來看 offset 成因
05/18 20:29, 7F
→
05/18 20:31, , 8F
若以一個簡單的 OP 輸入端 BJT 的 Vos 跟 Is 和 負載有關
05/18 20:31, 8F
→
05/18 20:32, , 9F
最簡單的 case 就是電阻性負載 所以就兩個變因
05/18 20:32, 9F
→
05/18 20:33, , 10F
MOS 則是跟負載、W/L、Vt 三個變數有關 所以 BJT 作為輸
05/18 20:33, 10F
→
05/18 20:33, , 11F
輸入差動對 BJT 的 offset 較小
05/18 20:33, 11F
→
05/18 20:34, , 12F
我記得這個在史密斯裡面講差動對的那邊就有提到了
05/18 20:34, 12F
→
05/18 20:34, , 13F
當然實際上的 case 不會只有這幾項因素 不過也囊括大半了
05/18 20:34, 13F
推
05/19 19:27, , 14F
Is的variation跟Vth的variation誰大
05/19 19:27, 14F
→
05/19 19:27, , 15F
這仍需要製程的相關知識才有辦法回答
05/19 19:27, 15F
→
05/19 19:27, , 16F
不能說是兩項比三項　兩項的就一定比較小
05/19 19:27, 16F
→
05/19 19:29, , 17F
另外OP的input refered offset跟負載無關
05/19 19:29, 17F
→
05/19 19:29, , 18F
output offset才有關　但通常看input referred
05/19 19:29, 18F
→
05/19 19:30, , 19F
因為你load動gain就動了
05/19 19:30, 19F
‣ 更多 circusbd 的文章
文章代碼(AID): #1LLvJqfn (Electronics)