[問題] spice模擬mos D&S對調

看板Electronics作者 (angela)時間10年前 (2015/04/05 02:42), 10年前編輯推噓4(406)
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各位先進好, 最近模擬MOS元件特性遇到一個問題, 單獨模擬一顆NMOS,gate給一個pulse,VDS=VDD,在transition下看電流, 在spice描述中一般會照D G S B的順序命名節點, 因為mos 的drain & Source是對稱的 ,理論上D&S對調,在spice模擬應該只是電流方向不同,但大小一樣。 但模擬結果http://0rz.tw/b2GAE 顯示條件二 transition current會略大,但穩態電流一樣, 請問這模擬結果合理嗎?如何解釋呢? condition: 1.MN1 vd vg vs gnd nch w=Wpg l=Lpg 2.MN2 vs vg vd gnd nch w=Wpg l=Lpg (D&S對調) vd vd gnd 'VDD' vs vs gnd 0 vg vg gnd PWL 0 0 0.2n 0 0.3n 'VDD' 感謝各位先進回答指教! -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 49.159.186.55 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1428172948.A.F4D.html ※ 編輯: kb76628 (49.159.186.55), 04/05/2015 02:42:55 ※ 編輯: kb76628 (49.159.186.55), 04/05/2015 02:44:16

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你的vg是不是少惹一個vg
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合理的解釋就是 model不準 滿意惹八
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obov大 我貼錯了 實際code有 感謝指教
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應該是因為有一邊 doping比較濃吧 你查一下通常是哪一
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邊會比較濃呀~
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Body effect問題吧
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問廠內的人這顆MOS的model是不是對稱製程,
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有個是對稱的製程有的是不對稱的製程,
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會影響S/D是否能對調
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不過看你的模擬結果差異並不大,也許是body電流造成的
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文章代碼(AID): #1L832KzD (Electronics)