[問題] 有關半導體元件MOSFET 內建電壓的問題

看板Electronics作者 (ddd)時間11年前 (2014/12/14 10:02), 編輯推噓4(403)
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假如原本一個 閘極是n+ 基極是 p 的MOSFET 我測量到它的內建電壓是2V 那如果我把n+換成p+ 那它的內建電壓會變多少呢 假設Eg=1.1eV -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 61.231.116.183 ※ 文章網址: http://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1418522579.A.F1D.html

12/14 23:54, , 1F
你是如何量測的?
12/14 23:54, 1F

12/15 01:35, , 2F
題目給的..
12/15 01:35, 2F

12/15 03:27, , 3F
所以是 gate與substrate之間的built-in voltage=2.0V
12/15 03:27, 3F

12/15 03:28, , 4F
然後材質互換之後,再次求解?
12/15 03:28, 4F

12/21 12:15, , 5F
Built-in-voltage應該不到2V吧?用P-type poly-Si的話
12/21 12:15, 5F

12/21 12:16, , 6F
built-in voltage應該更小才對
12/21 12:16, 6F

12/21 12:18, , 7F
Vth也會被改變,因Flat-band V
12/21 12:18, 7F
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