[問題]關於某篇文章設計capless LDO 的 PMOS

看板Electronics作者 (fox)時間11年前 (2014/07/13 17:11), 編輯推噓5(5推 0噓 24→)
留言29則, 4人參與, 最新討論串1/1
各位先進們 請問有誰拜讀過Robert J. Milliken 在 IEEE Transaction on circuit and system 在2007年"Full on-chip CMOS Low-Dropout Voltage Regulator"，在文章的後面Table3 提到pass transistor 設計的尺寸W/L=4000 且只要流過10uA就可以得到Gmp=3.2mA/V 以及CGS=100pF CGD=26pF ‧我是使用hspice模擬單顆電晶體，發現至少需要Id=100uA 以上的電流才可以得到Gmp=mV/A等級的大小，還是我誤解他的意思，請各位先進指教一下 感謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 61.227.201.35 ※ 文章網址: http://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1405242681.A.7BA.html
推
07/13 17:14, , 1F
單顆pk rario 4k?
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07/13 17:14, , 2F
ratio
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07/13 17:15, , 3F
打錯了，W/L=40000 感謝指正
07/13 17:15, 3F
推
07/13 23:04, , 4F
這是不可能的　物理上的極限BJT的gm/ID是40
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MOS最多是25~30
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除非你講的不是gm而是1/ron
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你check一下她那是不是simulation result
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還有他是用哪一種model
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0.35 商業製程，沒特別寫是哪家
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連結錯誤了
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推
07/14 08:54, , 15F
我看了一下論文　我有很大的把握他Gmp寫錯
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不知這是否會影響最後的結果?
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我比較好奇的是gmp不是會隨著Iload改變嗎
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你拿他的量測圖去trace一下或許可以找到答案
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我不是LDO專業　對參數怎麼動不了解
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但我確定10uA不可能有3.2mA/V的Gm值
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有可能他是有點瑕疵的分析但是得到正確答案
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07/14 09:06, , 22F
那CGD 和CGS 是對的嗎? 因為這兩個結果會影響頻率響應?!
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07/14 09:08, , 23F
我用Spice跑出來的結果與他的結果差異很大
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gmp會隨著Iout變動，但是她後面@Iout=0mA 這時候看左邊
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07/14 09:11, , 25F
Table2 Mp 他的電流流Id=10uA
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推
07/14 12:48, , 26F
製程不同結果當然不同
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推
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論文會不會是指單位w/l之下流過10uA?
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07/14 21:22, , 28F
例如0.5um製程1/0.5流過10uA併4000顆?!
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07/14 21:22, , 29F
沒看過論文內容 所以只是瞎猜路過
07/14 21:22, 29F
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