[問題] IC穩壓電路的選擇?BMR or BGR?

看板Electronics作者 (孤.獨.一.痕)時間12年前 (2013/11/21 16:34), 編輯推噓5(5推 0噓 6→)
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請教各位一個類比IC穩壓電路的問題: 最近研讀到bandgap reference的章節, 查了一些延伸閱讀的參考文獻, 看到另一種叫做"Beta Multiplier Reference (BMR)"的電路, 這種電路感覺看起來似乎跟Bandgap Reference長得很類似, 而且還不必採用CMOS中的寄生PNP結構, 似乎是一大優點? 請問一下目前類比IC內的穩壓電路主流是BMR還是BGR呢? 因為目前還不是很清楚這兩種的優劣,麻煩有經驗的人不吝分享相關知識~~ 感謝!! -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 59.124.251.34
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11/21 17:00, , 1F
BMR不是BGR哦！！
11/21 17:00, 1F
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11/21 17:06, , 2F
這兩種我目前看起來的差異好像就只是BGR必須搭配寄生bipolar
11/21 17:06, 2F
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11/21 17:07, , 3F
來達成,而BMR則只需要用FET和電阻來實現,所以初看之下,
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11/21 17:08, , 4F
BMR好像是比較適合CMOS IC的製程.不知道這樣的觀念是否正確?
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11/22 00:42, , 5F
曾經有這兩個都做在一起...用一個option bit來選擇...
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11/22 00:42, , 6F
後來發現...還是BGR比較準...
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11/22 08:32, , 7F
BMR是會漂的，而BGR是有針對PVT而較不會漂~~~
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11/22 08:36, , 8F
再請問一下:BGR的最小電壓會受到寄生PNP導通電壓限制,
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11/22 08:37, , 9F
那現行CMOS低壓製程是否只能用特殊的蕭基二極體實現呢?
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推
11/22 13:51, , 10F
google sub-1v bandgap reference
11/22 13:51, 10F
推
11/23 12:18, , 11F
1.8V的話...要選用low Vth的MOS才行,還不需要到蕭基二極體
11/23 12:18, 11F
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