[請益] laker萃取問題
前輩們好，
最近在做一個電路，電路很重視metal和metal之間的很多的寄生容值CC比例，
畫完主要電路的layout之後，
也萃取作Post-Simulation，效能都是可以接受的
可是放上ESD PAD之後(只是放在同一個cell內還沒有接線)，
電路的效能就掉很多，
找了很久的bug之後，發現是寄生容值CC的比例跑掉很多，
(ESD PAD和核心電路有一段距離，應該不會互相影響)
也有發現萃取時會跑出"Extract bin X of Y"，layout越複雜Y越大，
就解釋laker在萃取時可能會為了加快萃取速度，會將電路分Y部分來萃取
結果會導致像萃取時一大塊電容被分成兩部分來萃，
導致電容的線性度變很差，
請問這樣的解釋是對的嗎？
請問有什麼解決的辦法嗎？
謝謝前輩們的指教！
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