[問題] 想請問關於TSMC T18 摻雜問題

看板Electronics作者 (此帳號目前暫停使用)時間10年前 (2013/08/25 16:42), 編輯推噓2(2推 0噓 9→)
留言11則, 5人參與, 最新討論串1/1
各位前輩： 　　因為我現在做的研究是利用TCAD建立3D模型跑電性的研究，其中利用的是 TSMC 0.18 um製程，但在軟體設定上必須設定摻雜詳細濃度，不知道CIC方面 有沒有提供 Diffusion、Imp、Well及substrate摻雜濃度的技術文件？ 我有翻閱他上面提供的文件，但沒有找到這方面相關的資料。 是CIC不提供濃度資訊還是有提供在技術文件上我沒有找到呢？ 因為之前去上過TCAD的課程，有練習題上的濃度，但模擬出來的結果與實際值差異頗大， 所以想要有正確的摻雜濃度來得出較貼近實際值的模擬。 另外想要問關於WELL層的深度，還有LOCOS產生之後的深度是多少呢？ 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　先謝謝大家幫忙回答～ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.120.106.202
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08/25 17:51, , 1F
畫Layout跟SPICE的製程檔應該沒你要的東西，你要的算是產
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08/25 17:52, , 2F
線的製程recipe，正常應該是拿不到這些資料
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推
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製程文件沒有　
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circuit designer不需要知道這些　你這是特殊需求
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建議你直接跟TSMC詢問
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推
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製程的東西都是秘密 很難問到 雖然是很舊的製程了...
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08/27 01:43, , 7F
CIC有提供model card吧，目前應該都是用BSIM，可以從
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model card上的參數大致推算doping concentration
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模擬出來的結果跟實際值差異很大的另一個很重要的因素是
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physics model有沒有給對以及calibration
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08/27 12:36, , 11F
是用model card推算喔?
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