[情報] 三星量產全球首款3D堆疊式結構NAND芯片
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三星量產全球首款3D堆疊式結構NAND芯片
朝鮮日報記者 蔡珉基 (2013.08.07 11:03)
三星電子6日表示，全球最先研發出3D堆疊式結構的NAND閃存芯片（見圖），已經開始量
產。
內存芯片應用於手機、平板電腦等產品，可存儲照片、音樂文件等。內存芯片的內部有數
億個柵，柵的數量越多存儲容量越大。
3D堆疊垂直式結構是將柵一層層地排列的，這打破了一直以來的橫向排列方式的極限，通
過3D垂直堆疊方式提高了密度。有評價認為，縮小橫向排列時柵間間隔的技術已接近極限
，因此3D垂直堆疊方式開創了“3D閃存芯片量產新紀元”。從常識上看，很容易想到通過
垂直堆疊提高密度，但是之前從未有一家公司成功研發出這一技術。
三星電子表示，與既有的20納米級半導體相比（柵間間隔為20納米），該產品的密度提高
了1倍左右。寫入速度提升1倍以上，耗電量縮小一半。三星電子在過去十年研究"3D垂直
堆疊型結構NAND閃存(V-NAND)技術"的過程中，研發了300余項核心專利，並已在韓國，美
國和日本等世界各國提出了專利申請。三星電子內存事業部專務崔定赫說：“今後會進一
步提高密度，推出性能更高的產品。”
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