[問題] TSPC DFF 與 一般DFF(INV+TG) 問題

看板Electronics作者 (rick)時間11年前 (2013/06/11 10:47), 編輯推噓2(205)
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各位前輩大家好,小弟最近在研究D Flip-flop 的比較 環境設定: a.90nm process b.clk = 1Ghz c.hspice model d.接成除二電路 想請問幾點問題 1.兩架構測出來的動態power,為什麼TSPC會比一般DFF小(clk=1Ghz) 理論上來講,TSPC為動態邏輯,動態POWER應該會大很多才是  把tspc DFF 拉高(3Ghz) 才會大於一般DFF的動態power (1Ghz) 2.TSPC還有甚麼缺點?(動態power大很多)  優點是速度快、delay小、只需一個clock、電晶體數量少(面積小?) 、靜態power小 3.既然速度快,power可以藉由電晶體擺法改善, 為什麼到目前為止沒有Standard cell 可以使用呢? 感謝大家回答!! -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.116.156.214

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leakage你確定能handle嗎?尤其是low speed digital
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況且leakage跟Vt跟溫度有關甚至製程 光pvt你就難搞了
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至於power你去把電源拉出來看就知道電流怎麼消耗的
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Dymanic Power跟你Data的頻率也有相關,除此之外FF還要考慮
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Setup跟Hold time
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leakage真的是很抖的地方...
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leakage 要怎麼觀察呢
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