[問題] 關於新手的BJT問題

看板Electronics作者 (今、そこに いる僕)時間11年前 (2013/03/27 01:48), 編輯推噓0(005)
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我是靠電子學的課本自修, 請幫我看一下以下的問題, 順便修正一下我的理解 假設電路是一個共射極組態, NPN的2N2222A, Vbb=5V, Vcc=10V, Rb=5k, Rc=50 用TINA畫電路 http://imgur.com/5NqS9DP
這時電路是在放大區, 因為 1. 在c-e開路時, Vbe大概是700mV (問題:為什麼c-e閉路時, Vbe會上升到大概800多mV呢? 多出來的100多mV是什麼?) 2. Vcb=Vce-Vbe>0 (c->b reverse bias) 3. 此時的公式是: Vbb=IbRb+Vbe Vcc=IcRc+Vce=IcRc+βIb 要是把Rc換成100, 就會跑進飽和區 1. Vcb=Vce-Vbe<0 (c->b forward bias) 2. 此時的公式是: Vbb=IbRb+Vbe Vcc=IcRc+Vce 然後觀察發現, 若把Rb越換越大, 則Ib就越來越小, 雖然輸出也變小了, 但因為Vbe變得更 小, 所以就不容易掉進飽和區, 但是電流太小可能會cut off。 反之, 若是Rc越換越大, 則很容易掉進飽和區。小Rc也會讓β變大, 不過太大的Ic可能會讓電晶體燒掉。 另外, 想請問一下, 當面對一顆型號被磨掉的電晶體(假設是NPN, 腳位確定) 到底是怎麼應用的呢? 我的想法是: 1. 因為電晶體是用輸入電流來控制輸出電流的元件, 所以我會想先決定輸出入。比如說 先決定Vbb=5V, Vcc=10V, Ic=20mA。然後可調電阻接在b上(c-e開路)找出Vbe=700mV的點。 2. 這時候就有Ib=0.86mV跟Rb=5k的值了。然後再接上Vcc和可調電阻在c上, 找出Ic約為 20mA的點, 這樣就可以得到Rc=480了...然後發現電晶體在飽和區上 不知道這樣的作法是否正確, 請看一下, 謝謝 --               裸になって                                                   何が悪い?      -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 122.116.57.76

03/27 09:25, , 1F
β是BJT參數,不會因為外部電阻改變的
03/27 09:25, 1F

03/27 09:27, , 2F
一開始第3行錯了,Vce不等於βIb,Ic=βIb
03/27 09:27, 2F

03/27 09:28, , 3F
飽合區Vce在理想BJT應為短路,實應有約0.2V之壓降
03/27 09:28, 3F

03/27 09:30, , 4F
另外BJT的β就算同型號也有可能差很大,故不建議作電流控制
03/27 09:30, 4F

03/27 09:31, , 5F
一般用法多為將其直接工作在飽和/截止區作為電子開關使用
03/27 09:31, 5F
文章代碼(AID): #1HKT-6Yx (Electronics)