[問題] 關於GaN製程的MOS-HMET的I-V curve
上網找了一些資料
發現GaN製程的MOS-HEMT其I-V curve和一般NMOS有不太一樣的地方
1.當Vgs較高的時候Vds越大Ids反而會越小(本該是平的或上升的曲線反而向下凹)
這和一般NMOS因為channel-length modulation(類似Early effect那個)
使得其I-V curve在saturation mode中斜率是正的且非平行的現象不同
2.似乎Vgs<0也可以產生電流(Ids)??
可是一般NMOS必須要Vgs>Vt才可產生電流
不知道有沒有人可以告訴我一些概念??
非常感謝
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