[問題] GaN的崩潰電壓為何比較高?

看板Electronics作者 (令狐瑜)時間13年前 (2013/02/06 22:00), 編輯推噓3(301)
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最近找教授做專題 教授要我回答GaN為何崩潰變壓會比較高 不過我是第一次做專題 系上專業科目也還沒學很多 去圖書館自己借了兩本相關的書來翻好像還是不太了解 希望有人可以告訴我該上哪看相關資料 我孤狗過了 不過看得眼花撩亂不知道該看哪一份資料 有些看起來像是別人的論文之類的 不是想伸手要解答 只是年紀還小真的沒什麼經驗與知識 希望有人可以給我一點方向 感謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 124.8.135.135

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bandgap比較大,較難以類似impact ionization產生載子
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翻一下半導體元件或是固態物理的書,裡頭都會寫~
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好的!!謝謝
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文章代碼(AID): #1H4c8PID (Electronics)