[問題] 電流輸出的DAC算是高阻信號源嗎?
想請教各位
電流輸出型的DAC考否將之model成一個電流源?
而理想電流源擁有無限大的輸出阻抗(?
像這顆晶片http://tinyurl.com/adtvq5h
擁有1k歐姆的輸出阻抗
不過這是R-2R ladder型的
不知道sigma-delta型的晶片
在這方面是不是有不一樣的特性?
像是這顆http://tinyurl.com/bhd8rf8
而我想了解的是DAC的輸出阻抗
應該對挑選前端的op buffer(I/V converter)有影響
因通常信號源阻抗高於1k歐姆時
使用FET輸入型的op在這個場合其noise perf.佔有優勢
等同"吃"掉比較少的最小位bit數(resolution)
--
作者 OGCOGCOGC (BLUE SKY HEAVEN) 站內 Gossiping
標題 [新聞] 蘭嶼核廢料大外洩 儲桶腐蝕工人竟徒手處理
時間 Thu Oct 25 17:15:13 2012
───────────────────────────────────────
噓
10/25 17:27,
10/25 17:27
噓
10/25 17:28,
10/25 17:28
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.114.207.212
推
12/31 20:17, , 1F
12/31 20:17, 1F
→
12/31 20:17, , 2F
12/31 20:17, 2F
推
12/31 21:55, , 3F
12/31 21:55, 3F
這顆op datasheet http://tinyurl.com/atrut9t
p.12 figure.41有提到信號源阻抗對noise的影響
BJT輸入型的輸入阻抗低 且current noise density較高
在buffering這種DAC的時候會不會有不良的影響?
推
01/01 00:59, , 4F
01/01 00:59, 4F
我想這個如果在最嚴苛的應用上會是個trade-off吧
FET輸入級有高輸入阻抗、低電流雜訊的優點
但是在dynamic performance上往往是BJT輸入級較佳
(偏壓電流大,transconductance及線性度較高,slew rate也較高)
※ 編輯: delaluna 來自: 140.114.207.212 (01/01 03:41)
推
01/01 07:07, , 5F
01/01 07:07, 5F
→
01/01 16:53, , 6F
01/01 16:53, 6F
是說op輸入阻抗遠大於雜訊源的時候 voltage noise will dominate?
可是上面那張datasheet所說的OPA211 其輸入阻抗也有20k歐姆
還是說所謂的"遠大於"是像FET輸入型的有1T歐姆的阻抗才夠?
※ 編輯: delaluna 來自: 140.114.207.212 (01/01 17:23)
→
01/01 19:07, , 7F
01/01 19:07, 7F
→
01/01 19:08, , 8F
01/01 19:08, 8F
推
01/01 19:58, , 9F
01/01 19:58, 9F
→
01/01 19:59, , 10F
01/01 19:59, 10F
→
01/01 19:59, , 11F
01/01 19:59, 11F
→
01/01 20:00, , 12F
01/01 20:00, 12F
→
01/01 20:00, , 13F
01/01 20:00, 13F
→
08/13 19:35, , 14F
08/13 19:35, 14F
→
09/17 23:28, , 15F
09/17 23:28, 15F