[問題] 關於MOS的能帶問題

看板Electronics作者 (人上有人)時間11年前 (2012/08/29 19:29), 編輯推噓1(1推 0噓 4→)
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小弟非電類科系 但因工作上需要想要了解一些元件的特性 希望板上的大大可以為小弟指點迷津 問題是 當一負電壓接在MOS的金屬層(M)上後 假如鄰接於氧化層(O)另一側的半導體是P型Si的話 此時P型Si內的正電荷會累積於靠近氧化層的區域 這我能理解 但P型Si的能帶在靠近氧化層的地方會翹起? 這是甚麼意思?正電荷的累積會影響能帶? 那是要怎麼個影響法? 同理 當正電壓接在MOS的金屬層上後 P型Si的能帶在靠近氧化層的地方會下凹? 有人可以幫我解答嗎?感謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 114.44.23.107
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08/29 20:56, , 1F
應該說是fermi level往上(下)，然而能量差是相對的
08/29 20:56, 1F
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08/29 20:57, , 2F
習慣上把fermi level當做定值，就看起來能帶往下（上）
08/29 20:57, 2F
推
08/29 23:37, , 3F
半導體物理 = =
08/29 23:37, 3F
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08/30 00:42, , 4F
電荷累積就有電位勢 當然會影響能帶位勢
08/30 00:42, 4F
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09/04 02:58, , 5F
謝了 1F講得非常清楚 我懂了 感謝^^"
09/04 02:58, 5F
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