[問題] 關於Transmission gate 改善開關速度

看板Electronics作者 (<吐思夾蛋>)時間13年前 (2012/08/21 17:43), 編輯推噓2(202)
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各位板友好 最近在研究MOSFET開關速度的問題 查到有Paper使用Transmission gate 來改善 Delay time 但是改善原因論文上不是說明的非常清楚 想請問各位板友原因是什麼呢??初步的猜測為多增加一個RC充放電的路徑? 麻煩大家了 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.115.72.74

08/21 22:02, , 1F
因為開啟的電壓跟時間不一樣?
08/21 22:02, 1F

08/21 23:34, , 2F
不太懂樓上的意思,請問可以在解釋一下嗎??
08/21 23:34, 2F

08/22 19:51, , 3F
NMOS跟POMS並聯 Req變小 還有解決poor1 poor0的問題
08/22 19:51, 3F

08/22 20:03, , 4F
樓上正解
08/22 20:03, 4F
文章代碼(AID): #1GCrWqQv (Electronics)