[問題] 加熱晶圓的不同方法之差異(RTP.感應加熱)
如題 現在在研究的是有關MOCVD的加熱技術
翻了大部分paper的介紹都是只在晶圓的下方放一個感應線圈來加熱
不過教授忽然突發奇想的叫我去翻RTP之類的paper
說把RTP那種多環狀Lamp的設計跟感應加熱的技術結合
設計成多環狀的感應加熱來取代原本的Lamp
不過看到這邊就有個疑問了
為甚麼同樣都是用加熱器產生的熱輻射來加熱晶圓的步驟
翻過的paper中 感應加熱器都是只放在晶圓底下加熱
而在RTP技術中 都是把環狀Lamp一層一層環蓋住晶圓加熱
兩種相同熱傳導但不同原理的加熱器具
為甚麼設計的結構會不同@@?
難道不能混用嗎? 翻了很多paper都是固定的形式
Lamp -> 多環加熱
感應線圈 -> 底層加熱
若改設計成
Lamp -> 底層加熱
感應線圈 -> 多環加熱
會怎樣嗎? 是效率比較差? 還是會爆炸(?)
兩種方式的差異到底在哪Orz
麻煩比較懂這領域的人可以幫忙解釋一下嗎?
研究的東西愈來愈偏離教授自己懂的領域=_= 感覺教授自己也要hold不住了..
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08/08 20:21, , 1F
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