[問題] 類比新手請益,電阻選擇!
大四專題自己決定做一個Capacitor-Less LDO
工藝庫內的電阻有以下選擇(因為需要50k UP的電阻,所以只有以下選擇)
rnpo1rpo_mis **N+ Poly resistor without silicide
rppo1rpo_mis **P+ Poly resistor without silicide
rnwod **NWell resistor under Diffusion
rnsti
rppo1rpo_mis
爬過許多文章以後知道DIff和POLY電阻使用上的差異，小弟的問題是使用場合!
問題是現在Bias circuit採用的架構是BMP，在其中一個NMOS下面接了rnwod這個電阻
請問這樣的設置可以嗎? 因為忘記哪邊好像有提到Nwell DIFF電阻有使用限制
像是要接到最負電壓之類(應該沒記錯)，還有就是可以在P+ substrate的基板上使用
rnwod這個電阻嗎?
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