[問題] CMOS的Breakdown

看板Electronics作者 (東森媒體科技)時間14年前 (2011/11/26 07:57), 編輯推噓1(1推 0噓 0→)
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請問CMOS的Breakdown是可逆性嗎? 也就是說當pn junction的反向偏壓原本超過Vbk後再變小，電晶體會變回正常嗎? 另一個問題是： 若CMOS的breakdown是不可逆性的話, CMOS的breakdown模式是否需要在一段時間內,pn junction反向偏壓超過Vbk, CMOS才會發生breakdown 還是說只要一瞬間，pn junction 反向偏壓超過Vbk CMOS就會發生breakdown? 謝謝指教 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 123.195.41.115
推
11/26 11:40, , 1F
D-S瞬間崩潰一下還ok，gate瞬間打穿就沒救了
11/26 11:40, 1F
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