Fw: [新聞] 三星開發出世界首個10nano的存儲器試製品
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作者: pf775 (pf775) 看板: Stock
標題: [新聞] 三星開發出世界首個10nano的存儲器試製品
時間: Fri Nov 11 19:08:13 2011
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三星開發出世界首個10nano的存儲器試製品
李娜麗 記者 2011.11.11 07:54
三星電子再次超越了半導體開發的技術極限。
該公司在將於本月11日閉幕的、以三星集團內部的研究團隊為對象舉行的“2011三星技術
展”上展示了世界首個10nano級的Nand Flash存儲器產品,這是由三星綜合技術院開發的
試製品。
三星電子的有關人士補充道“尚處於測試芯片階段,量產日期難以確定。請從掌握技術層
面來考慮”,“努力準備的話,明年上半年有可能實現量產”。
今年5月,三星電子量產了以20nano級的Nand Flash為基礎的Micro SD卡,這屬世界首次
,但是10nano級產品的量產卻是另外一個不同級別的問題。10nano級的產品一直被認為是
半導體技術的“物理極限”,10nano級的半導體電路意味著線寬(電線間距)為
10nanometer。業界普遍認為,通過改善單元結構或采用新材料等方法可以達到20nano級
,但這與細化到10nano級所需的技術的層次是不同的。如果想要超越技術的極限,需要巨
額的投資。有分析認為,三星電子通過果敢地推進該項技術的研發,確保了繼續保持與競
爭對手間技術差距的跳板。越是細化nano工程,半導體芯片就會變得越小, 晶圓(Wafer
)的單位產量也會增加,而且因為製造成本的降低,競爭力也會大幅提升。
另一方面,三星電子存儲器事業部社長全東守最近和記者見面時表示“如果變換思路,就
有可能超越技術極限。通過不斷創新,我們能夠繼續發展到10nano以下”。
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