[問題]多晶矽薄膜蝕刻完後,除了CD部分留下還有殘餘poly??
小弟最近遇到一個問題
在沉積完閘極氧化層之後,接著就準備作多晶矽薄膜沉積
沉積完後會看到,在多晶矽薄膜上隆起的顆粒
(顆粒外型像是多菱角島型顆粒)
為何說隆起,是因為有切過TEM發現,多晶矽薄膜隆起
隆起的地方與下面的閘極氧化層之間,形成空洞
之後去做多晶矽薄膜蝕刻,定義CD
就會殘留部分的多晶矽在表面上(推測有些地方比較厚吧)
目前還不清楚造成薄膜隆起的原因
是應力造成隆起的嗎??
還是金屬污染造成局部應力不平均??
還是下方的氧化層裡有空洞蓄存水氣,造成高溫製程時
氣體噴發???
這種Defect是叫做Hump嗎???
不好意思有點大哉問
希望板上的前輩可以給一些方向
造成多晶矽薄膜隆起的原因
或關鍵字,讓小弟可以去找相關資料
謝謝
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