[問題] ERC問題
小弟最近在做TSMC018的layout,有使用到MIM電容和poly電阻
雖然我設計的電路是較為低頻 (<1GHz),但在電容和電阻部分是模仿RF畫法
目前LVS和post-sim都沒有問題,但是有些ERC錯誤
像是MIM電容底部 guard ring層 NGR和PGR電位是接在一起的就會出現警告
電阻用N-well和DNW包起來導致中間psub浮接也會產生警告
因為是第一次下線,實在是不能確定這些警告到最後會有什麼問題...
想請問一下,如果電路操作頻率僅數百MHz (<1GHz)
是否MIM電容和多晶矽電阻的防護環部分採用一般的佈局方式就可以了?
(沒有底部的DNW,僅用NGR和PGR包住)
還有另一個問題是,我爬文看到有些討論說NMOS+DNW必須加上psub2這層
但是叫出TSMC標準元件卻沒看到有加上psub2這層?
請問各位這層一定要加嗎?
謝謝
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