[問題] 台積0.35um 5v mos 跨壓問題

看板Electronics作者 (董爺)時間14年前 (2011/09/01 23:42), 編輯推噓4(4012)
留言16則, 6人參與, 最新討論串1/1
各位先進您好: 想請教一下目前在設計vdd和vss跨壓為10v的OP時 op架構是folded cascode~偏壓電路是constant gm 兩者都會遇到VDS超過5V的情形!! 想請問各位用5V的model vds再多少之內還不至於崩潰呢? vgs似乎一定不可以超過5v的樣子! 麻煩有經驗的先進們給予指導囉~! 謝謝~ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 122.116.250.70

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VGS=5V 電流應該超大吧
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09/02 00:43, , 2F
而且既然supply是10V 用folded cascode是有特別應用嗎??
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09/02 00:44, , 3F
是要做open-loop的應用的話 感覺正常架構無法避免這種缺點
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09/02 09:12, , 4F
5Vmodel通常可以耐到5.5V 不過如果可以跟台積要資料的話
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應該是有辦法讓中壓的MOS耐壓到6V以上
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09/02 09:14, , 6F
還是要看你VDS到底會高到多少吧 @@
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09/02 10:28, , 7F
我是用在charge amp的應用~是close loop~
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09/02 10:29, , 8F
VDS跑cornor 會到6.2v左右~不知道耐不耐得住@@
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09/02 10:31, , 9F
那時選用folded cascode架構是想說跨壓太大
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09/02 10:31, , 10F
看能不能壓在VDS 再5V以下
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09/03 19:57, , 11F
多疊幾顆或換高壓製程吧
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09/04 23:58, , 12F
current source就多疊幾顆吧 順便改善CMRR
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09/05 11:45, , 13F
謝謝大家囉~目前盡量壓在5.5V以下了QQ~
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09/05 11:48, , 14F
目前VDD和VSS間疊了4~5顆@@
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08/13 19:16, , 15F
應該是有辦法讓中壓的M https://noxiv.com
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09/17 23:10, , 16F
應該是有辦法讓中壓的M https://daxiv.com
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