[問題] 從gate electrode看到的barrier height

看板Electronics作者 (ooxx)時間14年前 (2011/06/18 01:44), 編輯推噓0(0推 0噓 0→)
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小的目前在利用　F-N Tunneling　的斜率反推Barrier Height 由於inversion時　E-field不完全跨在Oxide上 可能會高估電場　進而造成誤差 於是想改用accumulation區 但此時gate端看到的barrier height就不是 4.05ev(Si)-0.95ev(SiO2)=3.1ev了 我認為gate端看回去的barrier height是 Al(gate)端的Work function(4.1ev)減掉SiO2(0.95EV)=3.15ev 但是不太敢確定 想請問版上大大 這樣的推法是正確的嗎@@? 謝謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.113.89.246
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