[問題] 關於電容的問題
有個關於電容的問題
在一般的S/H電路中
M1 +-
---/ ---||------gnd
這樣當M1關掉時
在channel的charge會跑到電容的+端造成sample的電壓改變
就是所謂的charge injection
而在比較先進的技術中 會有所謂的bottom smapling的技術就是讓
M1 +-
---/ ---||------
原本的gnd端變成floating
這樣很多文獻以及書籍都說因為右邊點floating了
所以在電容上的電壓不會變 所以charge injection的效應可以減低
我ㄧ開始的想法是 floating可以視為電阻無限大
電荷就不會往這路跑過來
但後來想想
電容的中間不是本來就是絕緣體嗎?
而且電容兩端電壓的定義是V=Q/C
應該是因為兩端有電荷累積 才造成電壓變化
所以文獻解釋的前提應該是電荷不會跑到+端 電壓不會改變
但我想的疑問是為啥電容-端段路 電荷不會跑到正端呢??
感覺-端的電荷不會變這是ok可以理解的
但有可能M1的charge跑到+端不是嗎??
感謝大家~
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 211.75.121.126
推
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