[問題] TSMC .35製程的DRC
我昨天第一次畫layout,因為我作業的電路有顆NMOS設計很小,W=0.4u,L=0.35u
都是製程檔所允許的下限,所以用HSPICE模擬會過
畫layout時,用Ctrl+M叫出NMOS,W和L都同上,他會S/D各幫我打一個contact,
但N-imp變成中間窄兩端寬,類似啞鈴的形狀,要把W加到0.7u才會是長方形。
我看rule說contact往外延伸0.15u都要是diff,也就是contact 0.4u往上0.15u
往下0.15u,W至少要0.7u才行,那它W畫0.4u讓contact塞滿這樣會過DRC嗎?因為我昨天
直接改成0.7u畫,沒試過。
如果不行的話,為什麼model檔的W下限不設成0.4u+0.15u*2=0.7u呢?
另外聽同學轉述別的同學說,遇到這種情形,畫一個更大的長方形N-imp蓋過整個
MOS就會過了?真的嗎?
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