[問題] 量測具有微分負阻電晶體的電性
在CIC下了穩懋半導體的pHEMT
想要量pHEMT的Id-Vd圖
穩懋那邊給的data sheet表示這顆電晶體具有微分負阻 (飽和區電流遞減，斜率為負)
但我在量測電性時Vd一掃到飽和區有負阻的地方，整個電流就亂跳，會抖會飄
就是量不出穩懋那邊SPEC給的Id-Vd圖(平滑的微分負阻，電流緩緩遞減)
我的電性量測不是用probe station,是直接用source meter接線給到元件
source meter直接連電腦抓data(labview)
元件=>打金線=>PCB版電極=>SMA轉接頭=>有shielding的線=>source meter
請教一些人，說在負阻區容易震盪，提供一些改善方法
1.在V D S三端都各串連電阻
2.元件接出來的轉接點都要加壓
都試過但效果不彰
請問有人有用source meter量測過類似有負阻FET Id-Vd的經驗嗎?
請教各位量測方法，謝謝!
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